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期的led只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
展。这种工艺不但??避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该工艺通常谓之mb工艺,首先去除gaas衬底,然后在其表面与Si基底表面同时蒸
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(Si)、碳化硅(Sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
量的晶格缺陷,从而进一步提高gan晶圆层的晶体质量。首先在合适的衬底 上( 6h-Sic或Si)采用两步制程生长gan晶圆层。然后对晶圆膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
质分别为tmga、tega、tmin、tmal、ph3与ash3。通过掺Si或掺 te以及掺mg或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
本底杂质浓度进一步降低(一般达到1015cm-3)。由远红外光电导和光致发光研究表明,主要残留杂质是Si、 ge、c和zn。(4)、n型p型外延层用的掺杂源的控制气体源：h2s、h
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物质分别为tmga、tega、tmin、tmal、ph3与ash3。通过掺Si或掺te以及掺m
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
“golden dragon led”我国台湾uec 公司(国联)采用金属键合(metal bonding) 技术封装的mb 系列大功率led,其特点是用Si 代替gaas 衬底,散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
5的数据输入端。rck、sck的并联的使用的目的是为了实现led字符的同步显示。在线路连接中q`h必须连接Si，因为根据74hc595的特性，如果输入的数据数大于8，那么前面的数
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230480.html2011/7/20 23:11:00
5、含有多种矿物质（mg、fe、b。Si、ca等），有效调节人体营养素的平衡； 6、以活化细胞为基础，以治“本”为主，综合调节，具有预防疾病和辅助治疗的作用。 盐
http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/8/1/231405.html2011/8/1 10:20:00
