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力都放在寻找晶格失配较小的衬底上，si衬底的使用并未引起人们太多兴趣，随着许多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
件的发光效率则已接近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134178.html2011/2/20 23:22:00
%。 未进入的新建，已进入的再扩张，led照明行业已经如同2006年的风电、2008年的多晶硅一样，除传统照明产业向led转型外，包括pe（私募基金）、政府产业基金、外资在内的各路资
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/3/28/145344.html2011/3/28 14:45:00
构，采用全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/12/165017.html2011/4/12 10:07:00
y joseph第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现
http://blog.alighting.cn/cdmingda/archive/2011/4/12/165066.html2011/4/12 21:06:00
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/kenvou/archive/2011/4/25/167160.html2011/4/25 16:48:00
料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就更
http://blog.alighting.cn/szknled/archive/2011/5/5/175375.html2011/5/5 19:51:00
http://blog.alighting.cn/surpius/archive/2011/5/12/178216.html2011/5/12 8:29:00
少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 而碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179123.html2011/5/17 16:54:00
