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d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37
散热是led灯要重点解决的问题，而在这之前是一个导热过程更是一个关键。传统的散热模式中使用到导热材料是导热硅脂，导热硅脂在成本上会经济一些，但在需要大面积涂抹，存在很大问题，无
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268322.html2012/3/15 21:55:32
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268321.html2012/3/15 21:55:29
电子设备中传统应用到的导热介质材料主要有导热硅脂、导热硅胶、导热云母片、导热陶瓷片、导热相变材料，这里要向大家介绍的是新一代导热材料—软性硅胶导热绝缘垫。我公司是一家专业研发生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268320.html2012/3/15 21:55:27
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268095.html2012/3/15 21:16:50
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268092.html2012/3/15 21:16:38
