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导读： 效率下降是阻碍gan基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
由于si基光发射材料具有与先进的si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
调查显示，nichia、cree、lumileds、osram、toyoda gosei、toshiba和rohm等占据了绝大多数市场份额的大公司拥有着该领域80%~90%的原创性
https://www.alighting.cn/news/20111026/89838.htm2011/10/26 8:55:29
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时si
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
绍了gan基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
明工程迎宾路路灯照明灯具采购 规模：189基 建设地点：库尔勒市迎宾路 招标方式：公开招标 投标人资质要求：具有独立法人资格并具有相应设备生产资质的供应商或授权经销商 投
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/10/24/248247.html2011/10/24 10:19:28
