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c)，氮化镓(gan)，硅(Si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(Sic)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。Si的热导率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
展。这种工艺不但??避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该工艺通常谓之mb工艺,首先去除gaas衬底,然后在其表面与Si基底表面同时蒸
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
期的led只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
