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据输入端。rck、sck的并联的使用的目的是为了实现led字符的同步显示。在线路连接中q`h必须连接Si，因为根据74hc595的特性，如果输入的数据数大于8，那么前面的数据将会被自
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232669.html2011/8/18 1:24:00
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。Si的热导率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如Si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
c)，氮化镓(gan)，硅(Si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(Sic)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
展。这种工艺不但??避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该工艺通常谓之mb工艺,首先去除gaas衬底,然后在其表面与Si基底表面同时蒸
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
期的led只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
