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体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258599.html2011/12/19 11:02:15
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258595.html2011/12/19 11:02:07
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43
率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258534.html2011/12/19 10:58:39
目前，led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热基板是一种提供热传导的媒介，led→散热基板→散热模块，它可以增加led底部面积，增加散热面积，主要由铜箔电路/陶瓷粉末
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258527.html2011/12/19 10:58:20
w，工作电流40ma；用于ac220v功率在3.3w-4w，工作电流20ma（图4）。led晶粒直接邦定在铜铝基板上。引脚如图5所示。图4：首尔半导体的ac led图5：ac led引
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258504.html2011/12/19 10:56:54
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258503.html2011/12/19 10:56:52
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258501.html2011/12/19 10:56:42
光的麻烦。 外观更超薄液晶电视若要作到超薄，其中有2个主要决定因素，分别为背光模块与电源基板厚度，然因背光模块整个面积与液晶面板相似，而电源基板仅占液晶电视部分面积，换句话说，液
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258491.html2011/12/19 10:56:14
用寿命的关键。一般设计是直接将led和散热基板焊在一起，当led灯源损坏时，必须整个基座汰换。而工研院研发的acled采用可插拔式立体导热封装技术，除增加导热面积外，当灯源损耗
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