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片（ wafer ）水准进行的。3、由于无需打金线与外界电源相联结，采用通孔垂直结构的 led 芯片的封装的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，进入快速发展阶段。 1、产业化关键技术取得较大突破。以企业为主体的led 制造技术进展较快，企业产业化线上完成的功
http://blog.alighting.cn/lijun10/archive/2011/1/6/126346.html2011/1/6 20:04:00
步，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，进入快速发展阶段。 1、产业化关键技术取得较大突破。以企业为主体的led制造技术进展较
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126915.html2011/1/11 0:50:00
样存在光衰，这和温度有直接的关係，主要是由芯片、萤光粉和封装技术决定的。目前，市场上的白光led其光衰可能是向民用照明进军的首要问题之一。针对led的光衰主要有以下二大因
http://blog.alighting.cn/ledlight/archive/2010/8/14/88523.html2010/8/14 13:46:00
把多个led晶粒(以共晶(eutectic)或覆晶(flip-chip)封装)连接在一起，因为这些晶粒极为精细，所以需要采用精确的印制电路进行连接。为了得到更好的散热特性，通常采用陶
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139181.html2011/3/7 15:50:00
暗的异常现象。 不同企业、不同工艺、不同衬底材质、不同设计制造的led芯片抗静电也很不相同，当前市场抗静电高度更是千差万别、鱼目混珠。 led的抗静电高低与led的封装无关、取决
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143438.html2011/3/17 21:59:00
1,股吧)等。而后续封装和芯片厂商也将收到连带效
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222241.html2011/6/20 22:20:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261333.html2012/1/8 20:19:11
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267445.html2012/3/10 10:15:09
