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科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，nexperia将有权使用科锐gan氮化镓功率器件专利组合，包括了超过300项已授权美
https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13
y，pssa）是一种新型衬底，采用此衬底可大幅提高铟氮化镓、铝氮化镓（ingan/algan）uv led的效
https://www.alighting.cn/news/20200115/166190.htm2020/1/15 9:42:43
ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的gan膜通常都生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
用。 导热填料主要分为两种：一种是导热绝缘填料，如金属氧化物填料、金属氮化物填料等。另一种是导热非绝缘填料，如炭基填料和各种金属填料等。前者主要用于电子元器件封装材料等对电绝缘性能有较
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314037.html2013/4/10 11:24:37
类繁多，主要包括无机物包膜和有机物包膜。采用无机物包膜的方法则更为常见。 无机包膜物质包括氧化物、氮化物、磷酸盐或这些化合物的组合，在这些物质中，in2o3、sio2、a12o3
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/8/3/65545.html2010/8/3 11:38:00
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓，高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
型欧姆接触以梳状插入其中，芯片尺寸，从而使当前的扩展距离可以缩短，以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的esd保护二极管(esd)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。③陶瓷板倒装法。通用装
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
https://www.alighting.cn/news/20250328/177056.htm2025/3/28 9:45:45
家项目的研究工作，在氮化物半导体领域拥有多项核心技术和专利。 主持过一项江苏省科研项目(新型医用光源关键材料技术研究)、一项安徽省科研项目“具有高吸附特性的多孔氧化硅粉体制备
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
“863”、“973”、“十五”重大攻关等多个国家项目的研究工作，在氮化物半导体领域拥有多项核心技术和专利。 主持过一项江苏省科研项目(新型医用光源关键材料技术研究)、一项安徽省科
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
