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用。 导热填料主要分为两种:一种是导热绝缘填料,如金属氧化物填料、金属氮化物填料等。另一种是导热非绝缘填料,如炭基填料和各种金属填料等。前者主要用于电子元器件封装材料等对电绝缘性能有较
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314037.html2013/4/10 11:24:37
类繁多,主要包括无机物包膜和有机物包膜。采用无机物包膜的方法则更为常见。 无机包膜物质包括氧化物、氮化物、磷酸盐或这些化合物的组合,在这些物质中,in2o3、sio2、a12o3
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/8/3/65545.html2010/8/3 11:38:00
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶,生产工艺比较成熟,已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓,高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
https://www.alighting.cn/news/20250328/177056.htm2025/3/28 9:45:45
型欧姆接触以梳状插入其中,芯片尺寸,从而使当前的扩展距离可以缩短,以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的esd保护二极管(esd)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。③陶瓷板倒装法。通用装
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
家项目的研究工作,在氮化物半导体领域拥有多项核心技术和专利。 主持过一项江苏省科研项目(新型医用光源关键材料技术研究)、一项安徽省科研项目“具有高吸附特性的多孔氧化硅粉体制备
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
“863”、“973”、“十五”重大攻关等多个国家项目的研究工作,在氮化物半导体领域拥有多项核心技术和专利。 主持过一项江苏省科研项目(新型医用光源关键材料技术研究)、一项安徽省科
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(gan)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化镓/氮化铟镓(ingan)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
点,是gan氮化物半导体的纵光学(lo:longitudinal optical;以下简称为lo)与音子(phonon;格子波的量子)的能量(? ω =h/2π,h为膜厚plank常
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
层,因此适合使用光学评鉴方式研究。如表1所示gaas、znse等常用的ⅲ-ⅴ(三五族)、ⅱ-ⅵ(二六族) 化合物半导体与gan最大差异点,是gan氮化物半导体的纵光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00