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量，结果显示，发现inGaN具有很好的发光能力的原因是，因为在含有in的氮化物半导体中，电洞被由in和氮原子组成的集团（局部效应）有效的捕获，能量没有转化成热，而是有效的转化成了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
] (000055) 氮化镓基半导体照明材料及其器件项目技术和规模居国内领先水平 联创光电[7.50 5.19%](600363) 国家"铟镓氮led外延片、芯片产业化"示范工程企
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2009/11/20/19742.html2009/11/20 11:38:00
出射;二是运用碳化硅衬底进步器材散热，三是运用氮化镓同质衬底制备极低缺点的高质量晶体，进步led的发光功率。 无极灯当前国内半导体照明资料的首要疑问有：一是中心专利技能缺少，国内大
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
led照明的led是由ⅲ-ⅳ族化合物，如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成，它是利用固体半导体芯片作为发光材料。稀有金属镓在现代半导体工业应用广泛，主要以化合物砷化镓出现，占
https://www.alighting.cn/news/20141230/107770.htm2014/12/30 9:41:07
业，获金属材料学士学位;1997年9月-2000年7月，半导体材料专业硕士在读，获半导体材料硕士学位。 2000年9月赴美国亚历桑那州立大学学习,师从iii族氮化物领域著名科学
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
月，半导体材料专业硕士在读，获半导体材料硕士学位。 2000年9月赴美国亚历桑那州立大学学习,师从iii族氮化物领域著名科学家prof. fernando a. ponce，进
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
包括晶元、广镓、新世纪光电在内的台湾中上游led厂商受季度影响，4月份销售额均创历史新高。
https://www.alighting.cn/news/2007511/V5049.htm2007/5/11 15:19:04
联创光电(600363)是国家火炬计划重点高新技术企业，国家“863计划”成果产业化基地，国家“铟镓氮led外延片
https://www.alighting.cn/news/20071026/V4067.htm2007/10/26 9:43:16
https://www.alighting.cn/news/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
