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是采用特殊的材料(例如氮化镓)制成。所以它的伏安特性的温度特性也不同于一般二极管，而是要明显大于一般二极管。例如一般二极管的伏安特性的温度特性为-2mv/°c，但是cree公
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2009/10/21/7207.html2009/10/21 8:27:00
点。目前，国外的研究方向主要是氮化镓（gan）基led的大功率、高亮度、低成本。#next# 国内约20余家研究机构和企业正在进行gan蓝绿光led与白光led的研究和开发，但目
http://blog.alighting.cn/1322/archive/2007/11/26/8135.html2007/11/26 19:28:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
明。《意见》则进一步明确了我国led照明节能产业的重点发展领域：一是技术与装备。支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化镓材料、ole
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98266.html2010/9/19 21:39:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(ingan)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
片的发展 目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
要应用于科学分析设备以及研发用途。uvc led预计要在2014年以后才能全面进入水及空气净化市场。 uvc市场的增长与能够延长设备寿命的氮化铝（aln）块体基板的供应能力有很
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222026.html2011/6/19 22:45:00
到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力道，维持向上格局。imsresearch的预估，2011
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222070.html2011/6/19 23:06:00
光的acled，其次是美国iii-ntechnology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
