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d照明散热技术大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、晶片pn结到外延层； 2、外延层到封装基板； 3、封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279585.html2012/6/20 23:08:42

金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279584.html2012/6/20 23:08:40

由于蓝宝石基板的导热係数差，影响led的发光效率。为了解决led的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构led的架构，促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

式led采用几颗晶片的方式是根据市场用户的要求进行的。在用户没有提出特殊要求时，一般选择挖槽孔型结构设计pcb板。pcb基板为bt板。二、挖槽孔方向的选择如果选择用挖槽孔型结构的方

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279504.html2012/6/20 23:06:45

d芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36

掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

求增加，pcb之材料散热能力有限，使其无法应用于其高功率产品，为了改善高功率led散热问题，近期已发展出高热导系数铝基板（mcpcb），利用金属材料散热特性较佳的特色，已达到

http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279475.html2012/6/20 23:06:07

求增加，pcb之材料散热能力有限，使其无法应用于其高功率产品，为了改善高功率led散热问题，近期已发展出高热导系数铝基板（mcpcb），利用金属材料散热特性较佳的特色，已达到

http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279471.html2012/6/20 23:06:02

与gaas基板具有绝佳匹配性。不过&helli由於gaas基板能隙小於这些材料能隙,加上led所散出的光又属於等向性光源；因此,有将近 50％光源会在进入能隙较小gaas基板

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279461.html2012/6/20 23:05:41