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http://blog.alighting.cn/haiyangrongrong/archive/2011/4/26/167369.html2011/4/26 15:41:00
http://blog.alighting.cn/haiyangrongrong/archive/2011/6/3/187318.html2011/6/3 16:42:00
1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
层，芯片尺寸为1mm×1mm，p型欧姆接触为正方形，n型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；然后将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
姆接触为正方形，n型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；然后将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（ESD）的硅载体上。
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
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