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《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保持的50
https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23
伦斯勒理工学院(rensselaerpolytechnicinstitute)的智慧照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合led和功率电晶体。研
https://www.alighting.cn/news/201371/n318353327.htm2013/7/1 10:13:24
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用GaN类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、GaN)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
用氮化镓(GaN)制造的蓝光led成
https://www.alighting.cn/news/20141015/n162266402.htm2014/10/15 9:44:13
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
philips lumileds现已成为首家量产150毫米晶圆的功率型led制造商并正在大型衬底上每周生产数百万颗基于氮化镓(GaN)材料的leds. lumileds拥有全球最
https://www.alighting.cn/news/20101221/n924929728.htm2010/12/21 9:57:44
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128088.htm2011/1/11 15:46:14
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128324.htm2010/8/17 14:21:23
