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采用GaN基蓝色发光芯片为激发源，结合yag荧光粉封装成白光led(w-led)。对w-led的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入的研究，测试了以串联形式集成的w-le
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/142741_10.htm2011/7/21 14:27:41
李允立總經理畢業於臺灣大學物理系，之後赴美國波士頓大學攻讀碩士及博士，師事於prof. e. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二
http://blog.alighting.cn/liyunli/2013/4/25 18:44:41
结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55
握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24
导读： 效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02
采用热阻测试仪，分别对采用不同粘结材料和封装基板的led进行了测试，并通过结构函数对led传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明，GaN陶瓷封装基板、mcpcb板以及塑料pc
https://www.alighting.cn/2011/12/5 17:48:09
绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
以GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括sic,zn se、金刚石和GaN等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
管人员，对芯片制造和应用有着丰富经验。其中有德国亚森工业大学教授，axitron公司副总裁，GaN器件外延技术专家michael heuken教授；德国亚森工业大学教授，GaN器件外
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/10/17/293388.html2012/10/17 14:45:53
