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乾照光电扩产备战高亮度红黄LED芯片市场

及国家、地方及行业要求的消防、环保、安全、节能等设施，形成新增年产360亿粒高亮度四元系红黄光 LED 芯片的生产能

https://www.alighting.cn/news/20100908/121045.htm2010/9/8 0:00:00

同方股份LED技术达到世界先进水平

同方股份控股的清芯光电高亮度LED项目已经实现产业化，2007年公司量产的高亮度半导体LED照明芯片发光效率达到了73lm/w，同时大功率1w芯片已经批量上市。公司高亮度LED项

https://www.alighting.cn/news/2008625/V16254.htm2008/6/25 10:20:09

十年磨一剑中国LED硅衬底技术取得突破性进展

在LED行业中，我国自主创新的硅衬底LED技术被誉为继碳化硅(sic)LED技术、蓝宝石衬底LED技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美LED厂商形成的牢固的专利壁垒，拥

https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

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