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个具有战略性潜能的幼稚产业。 为摆脱核心技术受制于人的局面，中国启动了“核高基”战略。国家《电子信息产业调整和振兴规划》也明确指出：支持集成电路重大项目建设与科技重大专项攻关相结
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279590.html2012/6/20 23:09:04
于我们专事高热导金属基绝缘电子材料研发，精通半导体导热机理，所以我们可以提供大功率led封装散热技术全面的支持散热是led灯要重点解决的问题，而在这之前是一个导热过程更是一个关
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279585.html2012/6/20 23:08:42
要蚀刻或移除所有有机物质或其他环氧基物质（如su-8光刻胶），我推荐一个设备，名字叫“r3t高速等离子蚀刻机”，型号stp 2020，stp1010。这是德国r3t的产品，熟悉蚀
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279584.html2012/6/20 23:08:40
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279561.html2012/6/20 23:07:58
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
有两种结构：不剥离硅生长衬底：在导电硅生长衬底上层叠金属反射层或导电dbr反射层，生长氮化鎵基led外延层在金属反射层或导电dbr反射层上。剥离硅生长衬底：层叠金属反射层在氮化鎵
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
以薄膜制程备制。 以薄膜制程备制之氮化铝
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279475.html2012/6/20 23:06:07
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279471.html2012/6/20 23:06:02
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
