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利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
度在不断增加，速度在放缓，尤其是原始创新已变得较为困难，在半导体照明产业想继续做出具有一定新颖性、创造性的新突破越来越困难，即使在产业的上游外延片、芯片等领域，原始创新的积累已基本完
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/28/318102.html2013/5/28 21:00:54
式，从公开增发变为定向增发。重启增发后，三安光电的融资额将从此前的80亿元缩减至63亿元。 林秀成表示，三安光电是中国led外延、芯片的“老大”，未来五年目标是进入世界le
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/28/318098.html2013/5/28 20:34:38
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
述了自己的观点。 南通同方半导体副总经理李鹏飞介绍了目前整个led外延片、芯片技术发展技术。在谈到同方半导体led芯片的发展状况时，李鹏飞表示目前同方有北京和南通两大工厂，主做le
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317947.html2013/5/25 12:53:27
有研稀土 夏天 摘要：本文研究了由GaN基蓝光芯片和不同颜色荧光粉组成的三个白光led系统，提出了改善白光led显色性的解决方案。研究结果表明，在蓝光led芯片与黄粉系统中，在一
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317940.html2013/5/25 12:29:01
作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用mao工艺的mcpcb基板封装的瓦级单芯片led进行了热场的有限元模拟,结果显示其热
https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06
在浪潮华光重点展出的“半导体照明用高亮度蓝光led外延材料和管芯研制”项目产品中，路灯用蓝光大功率led芯片封装后的白光光效达到130lm/w以上，是真正可以替代进口的国产化芯
https://www.alighting.cn/pingce/20130524/122092.htm2013/5/24 13:26:13
浪潮华光以“半导体照明用高亮度蓝光led外延材料和管芯研制”项目为主题，携公司高端led外延片、芯片全系产品亮相科博会，全面展示了公司自主创新产品和技术研发重大成果，成为科博
https://www.alighting.cn/news/2013524/n926152075.htm2013/5/24 13:23:11
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
