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型),光效高、寿命长、抗振性强、聚光柔和、电池采用特制超容量电池组,无记忆、循环寿命长、智能过放保护、短路保护、环保无污染, 尾部带lED光源。4、智能充电：充电器采用芯片控制充
http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/16/44447.html2010/5/16 13:33:00
光柔和、电池采用特制超容量电池组，无记忆、循环寿命长、智能过放保护、短路保护、环保无污染, 尾部带lED光源. 智能充电充电器采用芯片控制充电，高可靠性,具有过充保护、短路保护、涓
http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/16/44446.html2010/5/16 13:32:00
量的80%。 智能保护 智能型lED驱动电路使产品更加安全可靠，内置电池保护板设有过充、过放、过流和短路保护装置，切实保证电池使用安全。智能型充电器采用进口专用管理芯片进行充电，充电快
http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/16/44443.html2010/5/16 13:30:00
池使用安全。智能型充电器采用进口专用锂电管理芯片进行充电，充电快、效率高、芯片所产生的高频脉冲能完全激活锂电池，延长电池使用寿命，并设有过充、短路保护和充电显示系统。 使用方
http://blog.alighting.cn/fbdengju/archive/2010/5/16/44429.html2010/5/16 12:19:00
大功率lED投光灯：（lED投光灯、大功率lED投射灯、大功率lED泛光灯、大功率投光灯、大功率泛光照明、lED大功率投光灯） 大功率lED投光灯：采用进口芯片，亮度高，低能
http://blog.alighting.cn/sn2010/archive/2010/5/15/44336.html2010/5/15 15:31:00
随着lED效率提升，中上游lED产业的技术重点将逐步向降低成本、提升lED器件性能方面发展。未来以lED外延、芯片、封装材料为核心的中上游lED技术，仍然是技术发展的重点。如果没
https://www.alighting.cn/news/20100515/85869.htm2010/5/15 0:00:00
从现有水平看，硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术，包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。
https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25
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http://blog.alighting.cn/gww487015/archive/2010/5/14/44194.html2010/5/14 8:38:00
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http://blog.alighting.cn/gww487015/archive/2010/5/14/44192.html2010/5/14 8:37:00
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http://blog.alighting.cn/gww487015/archive/2010/5/14/44193.html2010/5/14 8:37:00
