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面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在gan的led中,将p型电极(p type)部
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、光学胶、化学强化玻璃(由上而下)。化学强化玻璃已经比一般玻璃的耐承受压力强3.4倍了,当化学强化玻璃还是不幸打破的时候,光学胶可以整层包覆化学强化玻璃的碎片,避免碎片割伤使用者,就
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了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
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身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocvd设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适合氮化
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及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序：经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,
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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
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次生长。今后研发的重点仍是寻找合适的生长方法,大幅度降低其成本。2) al2o3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是al2o3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技
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别在于反应室。这些公司生产mocvd设备都有较长的历史,但对氮化镓基材料而言,由于材料本身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocv
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长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或
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伏数组首先会将接收来的太阳辐射能量直接转换成电能供给负载,并将多余能量经过充电控制器后以化学能的形式储存在蓄电池中。2.led照明的优点：led半导体照明光源除具有使用寿命长、发
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