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薄化氮化物led衬底可提升绿光led光效

薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress),这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之间不

  https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15

led照明技术现状与展望

本文依次分析了led的上、中、下游的技术现状,做了详细解说,并分析了led在未来的发展趋势。

  https://www.alighting.cn/2013/12/30 10:10:52

解读gan on gan led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在gan on gan技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今gan on sapp

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

确保led应用的蓝宝石晶体质量

本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术,并重点介绍了gt公司如何运用oht技术,确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。

  https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

硅基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6"

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

新型通孔硅衬底gan基led结构的电流扩展分析

为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

极性电气石衬底对zno纳米片生长的影响

采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

激光剥离gan/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

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