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近日，philips lumileds宣布，已采用6寸(150mm)外延片量产led，每周可在较大基板上量产数百万颗氮化鎵发光二极体。
https://www.alighting.cn/news/20101220/118873.htm2010/12/20 10:37:54
据外媒报道，武汉大学研究者开发出了在蓝宝石衬底上生长高质量ain（氮化铝）薄膜的方法。
https://www.alighting.cn/news/20200424/168528.htm2020/4/24 9:35:47
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
随著led性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led
https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24
随著led性能持续地提高，应用市场也随之急速扩大，隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。
https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20
一份有关俄罗斯照明计划的文件最近签署，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/V18290.htm2008/12/17 8:51:52
日亚化学工业与韩国首尔半导体在白色led等GaN类发光元件的官司之上又加上了新的纷争。
https://www.alighting.cn/news/2008922/V17377.htm2008/9/22 11:00:08
