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利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
行了高温处理,有效改善了其结晶质量和表面形貌。采用两步法制备了双面的tl-2212超导薄膜。xrd测试显示,薄膜为纯的tl-2212相,且其晶格c轴垂直于衬底表面。超导薄膜的tc
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
0nm的蓝光led的外量子效率可以达到34．9％。 2007年，美国的cree公司，在sic衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，sic衬底可以把gabl基led的金属电极制
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
率不到六成，产能利用率仅为五成左右。据统计2009-2012年国内合计成立新的led外延芯片专案合计65个，可是商场环境不容乐观，超越30%左右的项目流产，当前来看，蓝宝石衬底的报
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/15/323550.html2013/8/15 14:17:28
