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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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只led管子配光分布控制十分重要。由于led发出的光束集中,更易于控制,且不需要反射器聚光,有利于减少灯具的深度。例如,利用平面镜光学系统,可以只用1～2个led就可照亮很大的表
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有体积孝重量轻、温度低、耗电少、无闪烁、发光均匀等特性,现已逐渐取代传统的led背光方式。el 背光系统是由el灯片和el驱动器组成。el灯片的厚度一般小于0.2mm,是由绝缘基
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当前平面显示器产业蓬勃发展,显示技术日新月异,液晶显示器(liquid crystal display,lcd)以量产规模而论,稳居平面显示器技术主流地位,然而,其它显示技术,诸
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件的永久性损坏。大家熟知,led是半导体产品,如果led的两个针脚或更多针脚之间的电压超过元件介质的击穿强度,就会对元件造成损坏。氧化层越薄,则led和驱动ic对静电的敏感性也就越
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右,封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多 采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数led的驱动电流限制在20ma左右。但是,led的光输出会随电流的增大而增加,目前,很
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sed的构造及其优势sed的全称是“surface-conduction electron-emitter display”,译成中文就是“表面传导电子发射显示器”。下图是se
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盟rohs指令的要求。输入电压通常为12 vdc,对于电池驱动的便携式应用和车载应用,某些型号el显示器还支持很宽的输入电压范围。只有el显示技术能够提供透明显示,或切割为曲线形状。通
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期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
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