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led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
https://www.alighting.cn/resource/20161102/145726.htm2016/11/2 14:00:34
随着物联网时代来临，全球终端电子产品渐渐走向多功能整合及低功耗设计，因而使得可将多颗裸晶整合在单一封装中的sip技术日益受到关注。除了既有的封测大厂积极扩大sip制造产能外，晶
https://www.alighting.cn/resource/20161031/145651.htm2016/10/31 13:56:34
在工艺上加速进步的步伐会引入新的影响良品率的缺陷种类，其中一些类型的缺陷并不能被光学检测手段所检测到。这些缺陷被称之为“非可见性缺陷(non visual defects，nvd)
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124129.htm2014/11/4 12:37:24
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
本资料来源于2014新世纪led沙龙佛山站，由技术分享嘉宾——来自华南理工大学 教授 文尚胜主讲的关于介绍《led主流封装技术及未来发展趋势》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124896.htm2014/1/17 15:09:25
封裝最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的封裝，而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電路
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
本文阐述了led晶圆的制作工艺，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:35:13
随着led应用环境的多元复杂化，led下游商对上游晶粒品质的要求日趋严苛，如led耐静电测试(electrostatic discharge, esd)的电压值就从原本4kv要求，
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126060.htm2013/2/17 14:55:27
