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GaN基高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

GaN基高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

松下研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管

2018年2月23日,松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度,可以进一

  https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54

南昌大学成功研制高内量子硅衬底技术 打破日美垄断局面

江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖,实现了江西省在该项奖励“零”的突破。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09

晶元GaN-on-si晶片即将量产 称霸led照明?

晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后,晶元光电即将于近期投产GaN-on-s

  https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23

东芝GaN功率元件led灯泡电源缩小40%

东芝照明新产品中因小型化而空出的空间追加了调光功能。借助相位调光控制用ic以及调光控制软件,不仅led专用的调光器,就连白炽灯用调光器也支持“premium调光technology

  https://www.alighting.cn/pingce/20150304/121432.htm2015/3/4 14:37:49

首尔半导体展出利用GaN晶体非极性面的白色led

韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料,实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35

田村制作所开发出使用氧化镓的白色led

田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同

  https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25

首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

tom dekker 表示:“与同频率范围的 gaas 电晶体相比,科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27

科锐推出s波段GaN器件 实现雷达应用的效率最大化

科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21

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