站内搜索
led可以发出多种不同颜色的光，根据不同的材料，绿光一般为磷化镓(gap)，红光为铝砷化镓(gaas)，蓝光为GaN，三种混合起来也可以得到白光，不过目前普遍采用的是GaN+ya
https://www.alighting.cn/resource/20160918/144275.htm2016/9/18 14:03:36
附件为论坛嘉宾的演讲内容《高光效GaN基led芯片技术研究进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20160615/141191.htm2016/6/15 14:06:06
以下对功率型GaN基led光电器件覆晶倒装焊产业技术进行研究，介绍led光电的发展历程、产品应用、研究方法、技术路线以及解决的关键问题。
https://www.alighting.cn/resource/20160106/136049.htm2016/1/6 14:02:39
附件为《硅衬底GaN基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
目前广泛用于照明、显示等可见光领域的 GaN 基蓝、绿光和白光 led 市场竞争激烈，已经成为“深红海”。因此，市场逐渐向被一直认为是“蓝海”的 紫外(uv)波段渗透。但是，紫
https://www.alighting.cn/resource/20150615/130146.htm2015/6/15 14:07:45
为了简化分析过程，进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理，本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的GaN led在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
