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世界首家“全SiC”功率模块开始量产

日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide:碳化

  https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24

再见!高价SiC—迪思科开发出产量增至1.5倍的晶圆加工技术

迪思科(disco)开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比,生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4,产量大约可以增加到

  https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39

日商air water量产全球最大尺寸SiC基板

日商air water inc.20日发布新闻稿宣布,已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术,借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38

罗姆开发出世界首家可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块

日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16

罗姆实现业界最小的低vf SiC肖特基势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

罗姆与apei联合开发出高速、大电流的SiC沟槽mos模块

l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计,大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化

  https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17

瑞萨电子推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件

瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

led、SiC功率半导体——铁路节电新利器

新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称,地铁前灯采用led“尚属首次”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44

科锐发布口径为6英寸的SiC底板

据了解,6英寸底板量产后,SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高,有助于削减制造成本,SiC功率元件的价格有望降低。目前,部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC

  https://www.alighting.cn/pingce/20100909/122986.htm2010/9/9 11:50:12

2012,衬底也疯狂

硅衬底取得突破性进展,SiC衬底芯片光效快速提升,而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012,衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历

  https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32

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