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早期在小积体电路时代,每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿,但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39
感受一座城市,最简单的融入方式,就是从体验公共交通开始。相比的士、公共巴士,地铁实际是一个更加庞大、完整的系统。它的特性,使之将人、建筑、灯光、艺术、商业等各方面融为一炉,这也提
https://www.alighting.cn/resource/20160816/142892.htm2016/8/16 10:12:22
我国已经形成了较为完整的l e d 产业链: 上游外延生长及芯片制造到中游封装再到下游应用。但是从核心竞争力看,国内l e d 从业者与国外竞争对手差距很大。
https://www.alighting.cn/resource/20150713/130920.htm2015/7/13 11:06:05
为了简化分析过程,进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理,本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发,通过研究不同波段的gan led在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
本文通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征gan中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
本文为大家介绍led的分选的两种方法。一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。
https://www.alighting.cn/resource/20150303/123537.htm2015/3/3 11:15:30
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
对gan基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击,每次静电打击后,测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42