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基于有限元分析法的激光剥离技术中gan材料瞬态温度场研究

尽管随着对gan材料发光机理的深入研究,gan基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂gan研究

xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高gan样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。

  https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00

led芯片的制造工艺流程

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56

降结温提寿命的新型led散热技术方案(上)

从cree公司发布的光衰和结温的关系图(图1)中可以看出,结温假如能够控制在65°c,那么其光衰至70%的寿命可以高达10万小时!这是人们梦寐以求的寿命,可是真的可以实现吗?是的,

  https://www.alighting.cn/2014/12/23 10:27:59

ingan/gan多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

n极性gan薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

gan基倒装焊led芯片的热学特性模拟与分析

采用了有限元方法建立了gan基倒桩led芯片的三维热学模型,并对其温度分布进行模拟,比较了再不同凸点分布,不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分

  https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31

gan基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

浅谈白光led封装技术的五条经验

从目前实验的结果来看,晶片对光衰的影响分为两大类:第一是晶片的材质不同导致衰减不同,目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石,碳化硅一般结构设计为单电极,其导热效果比较好,蓝宝

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58

高温预生长对图形化蓝宝石衬底gan 薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44

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