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powdec 发表了利用GaN类半导体新二极管sbd

近日,从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec,公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd),预估2012年前量产。

  https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47

攀时日本展出可替换led蓝宝石基板的钼(mo)基板及钼铜(mocu)基板

业内人士介绍:替换基板的led芯片制造工艺是,先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长,然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板,切割成le

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34

三菱研发出绿色雷射GaN基板 成本降九成

据日本经济新闻报导,三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出,从上述晶体切割出的基板其制造成本仅

  https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04

科锐推出s波段GaN器件 实现雷达应用的效率最大化

科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21

日本碍子开发出可使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子2012年4月25日发布消息称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现

  https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20

8寸外延片级封装技术

功的开发出8吋外延片级leds封装(wlcsp)技

  https://www.alighting.cn/pingce/20101117/123196.htm2010/11/17 9:58:07

新型led外延片在航天基地试产成功

据了解,由该型外延片制成的成品灯能将1瓦电能转化为100ml(光亮度单位)光能,比目前全球市场通用的led成灯光效能提高约3成。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130130/121960.htm2013/1/30 9:49:20

kyma公司推出10英寸aln-on-sapphire基板

近日,kyma科技公司宣布生产出直径为10英寸的蓝宝石氮化铝(aln-on-sapphire)基板。该蓝宝石氮化铝基板使用了专利pvdnc技术,可以提高蓝光、绿光和白光led的产

  https://www.alighting.cn/pingce/20120606/122345.htm2012/6/6 9:53:50

科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

tom dekker 表示:“与同频率范围的 gaas 电晶体相比,科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27

科锐扩展产品种类,推出低基面位错 4h 碳化硅外延

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34

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