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科锐推出第二代sic功率MOSFET

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (sic) 功率MOSFET,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

飞兆半导体扩充开关电源MOSFET产品线

美国飞兆半导体扩充了用于开关电源(ac-dc转换器)的40~80v耐压功率MOSFET的产品线(英文发布资料),新投放了4款产品.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120823/122329.htm2012/8/23 9:31:06

[产品推荐] nextpower系列首款30v power-so8 MOSFET

近日,大型ic厂商恩智浦半导体发布nextpower系列首款30v power-so8 MOSFET,见详情:

  https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123148.htm2010/12/8 10:27:20

vishay推双片不对称功率封装12v和20v MOSFET

日前,vishay宣布推出业内首批通过aec-q101认证的采用双片不对称功率封装的12v MOSFET——sqj202ep和20v MOSFET——sqj200ep,可在汽车应

  https://www.alighting.cn/pingce/20160712/141823.htm2016/7/12 10:23:14

飞兆半导体推出全新中压MOSFET采用空间节省型封装可优化电能应用

6xxxp系列p沟道powertrench? MOSFET,在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性

  https://www.alighting.cn/pingce/20140214/121624.htm2014/2/14 13:51:49

英飞凌推出最小的coolmostm MOSFET无管脚smd

近日,英飞凌科技股份公司今日推出全新的coolmostmMOSFET无管脚smd(表面贴装)封装:thinpak 5x6。

  https://www.alighting.cn/pingce/20140606/121676.htm2014/6/6 11:21:37

隔离式电源创新技术 灵活发挥gan的效能

2012年2月27日,德州仪器(ti)在北京举办了新闻发布会,推出隔离式电源的创新技术,最新ucd3138数字电源控制器与最新MOSFET栅极驱动器。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120312/122631.htm2012/3/12 12:18:11

科锐推出50a碳化硅功率器件 实现低成本高能效

科锐将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅MOSFET器件,还包括1200

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

最新研发的氧化镓MOSFET耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 MOSFET [ke zeng et al, iee

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

vishay新款600v和650v e系列MOSFET提高可靠性并减小封装电感

e系列功率MOSFET。vishay siliconix 600v sihj8n60e和650v sihj6n65e、sihj7n65e更省空间,可替代to-252(dpak)封

  https://www.alighting.cn/pingce/20160719/142006.htm2016/7/19 9:49:46

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