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与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
本文论述了德国气相法纳米氧化铝的特性和其分散方法。
https://www.alighting.cn/resource/200955/V19598.htm2009/5/5 9:35:32
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
据国外媒体报道，德国科学家采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的led和其他半导体。他们称，在使用氧化锌制造半导体时，合理控制氢原子将成为一个关键。半导体掺杂是激活半导体的必要条
https://www.alighting.cn/resource/20081216/128644.htm2008/12/16 0:00:00
赢创德固赛公司aeroxide?气相法氧化铝产品具有许多特殊的物理化学特性，例如，纳米级颗粒，高纯度，低含水量，这些特性都成为当今高质量荧光灯涂层解决方案中至关重要的一部分。
https://www.alighting.cn/resource/200955/V19596.htm2009/5/5 9:15:45
led半导体照明是当今世界科技研究的重点，荧光粉是制作led的重要成分。经过多次的试验探讨，led荧光粉终于都发现了一类热稳定性和和化学稳定性优异的红色荧光粉——氮氧化物[3-4
https://www.alighting.cn/resource/20110114/128992.htm2011/1/14 10:23:12
