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pcb铝基板 黑金刚——2021神灯奖申报技术

面板,一面印油,一面裸铜,从视觉效果上裸露铜面,使用过程会担心存在漏电隐患,裸铜面长期暴露在空气中,会产生氧化反应,铜面变色,产生咬蚀,与灯具直接接触,耐磨性能较差,影响产品寿

  https://www.alighting.cn/pingce/20210129/170630.htm2021/1/29 16:56:16

阻燃型金属氧化膜固定电阻器 -rsf(b)——2021神灯奖申报技术

阻燃型金属氧化膜固定电阻器 -rsf(b),为潮州三环(集团)股份有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20210118/170452.htm2021/1/18 15:58:09

氧化铝rc类基板-01005——2021神灯奖申报技术

氧化铝rc类基板-01005,为潮州三环(集团)股份有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20210118/170451.htm2021/1/18 15:58:00

4英寸氮化自支撑衬底——2019神灯奖申报技术

4英寸氮化自支撑衬底,为东莞市中半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28

最新研发的氧化mosfet耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

allos推新型硅基氮化外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

研究发现加入硼可解决led发光效率下降现象

密西根研究团队11月发表最新研究,发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟 (ingan) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大,解决发光效率随

  https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13

美研发出单片集成三色led,未来将包含更多颜色组合

基于氮化铟技术和现有的制造设施,应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

  https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06

台学者研发出世界首个全彩led,有望超越oled?

南加州ostendo tech inc.所属磊晶实验室(ostendo epi lab.) 研发出世界第一个全彩led。他们使用氮化材料研发出三种特殊的量子结构,可以发出三种不

  https://www.alighting.cn/pingce/20161227/147168.htm2016/12/27 11:57:42

plessey发布单芯片大功率7070 led

led照明组件制造商plessey宣布推出其新的7070大功率led系列。plw7070产品充分利用了其专有的硅基氮化magic技术,并提供业界一流的标准大功率led封装尺

  https://www.alighting.cn/pingce/20161024/145429.htm2016/10/24 10:48:20

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