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５ｌｍ/ｗ，甚至有更高的报道，它的光效提高趋势是传统光源望尘莫及的。 一般而言，ｌｅｄ发光效率提高的途径主要是通过改进其内量子效率和外量子效率。内量子效
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
光效率的技术手段如下： （１）量子阱、多量子阱结构提升电光能转效率 电光转换效率即内部量子化效率，目前的技术，一般而言能达到７０％~９０％的水平，真正的瓶颈在于外部量子化效
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268446.html2012/3/16 13:10:08
州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳光量子、健隆光电科技有限公司等，均为国内主要封装企业。这些企业或者已打入高端显示屏、背光源、照明器件器件等门槛较高领
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268386.html2012/3/15 22:02:50
为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
些公司拥有原创性的专利，领导led技术发展潮流并占有主流市场。 nichia 由于在InGaN 的led技术和生产白光led的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色led芯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
像信号并由led器件阵列组成的显示屏幕。自1994年，日本成功研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度led以来，彩色led显示屏作为新一代的显示媒体，已广泛应用在展览中心、交
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268376.html2012/3/15 21:58:17
素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268374.html2012/3/15 21:58:10
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268362.html2012/3/15 21:57:31
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
