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光led的芯片进行改进，设计大功率型的芯片，同时要保证芯片高质量、大尺寸，这样才能提升内量子效率，进而增加发光功率。但是，发光功率增加，必然会带来热量增加问题，进而导致芯片老化加
http://blog.alighting.cn/207609/archive/2015/8/3/372816.html2015/8/3 10:24:14
寸与散热的关系同样不容忽视，提高功率led的亮度最直接的方法是增大输入功率，而为了防止有源层的饱和必须相应地增大p-n结的尺寸；增大输入功率必然使结温升高，进而使量子效率降低。单
http://blog.alighting.cn/207609/archive/2015/7/17/372245.html2015/7/17 9:15:48
光效通过良好的热通道设计和工作电流的降额措施，降低led 的結温，提高led 光源内量子效率。在光学上严格控制配光，使灯具实际出光率最大，从而满足动态颜色变化时效果要求，并充分考
http://blog.alighting.cn/sztattss/archive/2015/7/6/371797.html2015/7/6 11:04:19
u的博物馆级轨道灯为例，这样一个光学系统包含三次配光设计，其中一次配光的目的在于提升led的外量子效率，增加能量利用率，通常由封装厂设计完成，二次配光的目的主要有两个方面，一是为
http://blog.alighting.cn/akzu/archive/2015/1/21/364906.html2015/1/21 16:30:33
速led和量子密码学迈出了重要一步。该研究结果刊登在10月12日的《自然·光子学》在线版上。 今年的诺贝尔物理学奖被20世纪90年代初发明的蓝色发光二极管的科学家获取，因该发明
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/20/359288.html2014/10/20 16:51:44
连新华书店也难以买到，只有在图书馆、阅览室里能找到借到。虽然很多的艰辛，但办法总比困难多，坚持不懈总能解决。于是只能用愚公移山的精神把数学物理方法、量子力学、热学、电磁学、光辐射测量
http://blog.alighting.cn/luxview/archive/2014/10/17/359171.html2014/10/17 9:54:16
底过渡方法。在蓝宝石衬底除去后的pn结的制造商，在蓝宝石衬底上生长InGaN芯片，然后再连接的传统的四元材料，制造大型结构的蓝色led芯片的下部电极上，通过常规的方法。
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
为组件的外部量子效率，其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率，其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性（如组件材料的能带、缺陷、杂质）、组
http://blog.alighting.cn/205379/archive/2014/4/25/350835.html2014/4/25 21:42:33
f thick InGaN epilayers, s. srinivasan, r. liu, f. bertram, f.a. ponce, s. tanaka, h. omiya, y
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2014/3/11/349148.html2014/3/11 17:53:32
o determine the composition of thick InGaN epilayers, s. srinivasan, r. liu, f. bertram, f.a
http://blog.alighting.cn/205341/archive/2014/3/11/349147.html2014/3/11 17:43:20
