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有源层InGaN的v-pits缺陷密度降低一个数量级，led亮度提高30～40%，产品在科技部举行的全国行业评比中各项指标名列前矛。在薄膜生长journal of crysta
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
利总量的43%，led封装占比约21%，外延及芯片占比分别为18%和17%，衬底占比约1%。外延方面，国内的量子阱以及缓冲层技术专利与国外存在量与质的差距。芯片方面，国内的芯片外形技
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/22/315101.html2013/4/22 10:39:43
层界面平整化技术，大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电，led器件寿命延长一倍。 2005年开发出有源层应力预释放led新结构，将有源层InGaN的v-pits缺陷密度降低一
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
源比起来，二色性滤镜由于放置在光源前部而承受相对较低的热压，受使用时间的影响更小。2．光辐射的化学效应光化学作用是使物质分子发生化学变化的过程，变化的激活能量来自于对光子（光量子电磁
http://blog.alighting.cn/169785/archive/2013/4/10/313949.html2013/4/10 10:52:02
led产品外延结构的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定，其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
平光效可以达到276lm/w。在led芯片成本下降和光效提升的这一竞赛中，目前正遇到以下几个发展瓶颈。 第一是蓝光芯片存在的droop效应。在大电流密度条件下，发光二极管的外量
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
由深红色光谱区域调谐至橘黄色的光谱区域，外量子效率亦可达1.1%。值得一提的是，制成的硅基发光二极管具有令人惊讶的长期稳定性，这在此前从未实现过。操作组件寿命的增长是因为只采用了同
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29
http://blog.alighting.cn/akzu/archive/2013/2/21/309893.html2013/2/21 14:48:46
就是说大约70%的电能都变成了热能。 具体来说，led结温的产生是由于两个因素所引起的： 1．内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/2/21/309873.html2013/2/21 13:52:50
术的改进，led在发光效率出现重大突破，led芯片结构的发展如图1所示。相信随着该技术的不断成熟，led量子效率将会得到进一步的提高，led芯片的发光效率也会随之攀升。图1 led芯
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
