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素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282405.html2012/7/19 10:22:02
、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/7/14/281821.html2012/7/14 8:44:47
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279489.html2012/6/20 23:06:25
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279461.html2012/6/20 23:05:41
像信号并由led器件阵列组成的显示屏幕。自1994年，日本成功研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度led以来，彩色led显示屏作为新一代的显示媒体，已广泛应用在展览中心、交
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279457.html2012/6/20 23:05:34
些公司拥有原创性的专利，领导led技术发展潮流并占有主流市场。 nichia 由于在InGaN 的led技术和生产白光led的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色led芯
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
