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是开发蓝光led时，碳化矽(SiC)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
d的功率大幅提高(相对现在的1w),这样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
則會成磊晶層彎曲或破裂，使發光二極體晶粒製程不易切割或曝光，造成產品良率下降。 目前發光二極體常用的基板有gaas基板、gap基板、藍寶石(sapphire)基板及碳化矽(si
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00
值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
