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2007年3月2日，松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片，其在350ma下的总辐射通量为355mw，外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月
https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
本文追溯了氮化镓材料和蓝色发光二极管的发展历史，回顾了重要的历史事件。iii 簇氮化物是直接带隙半导体材料，发光范围紫外到红外，覆盖整个可见光区，是理想的光电器件材料。同时，具
https://www.alighting.cn/news/20150812/131735.htm2015/8/12 9:41:43
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、GaN)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
veeco推出turbodisc? k465i? ，一款用于生产高亮度led（hb led）的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备，日前经过led产业
https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00
受惠于led tv热卖，蓝光led大量缺货，led外延厂广镓光电（8199）产能持续满载，10月营收2.95亿元新台币，年同期成长74.71 %，续创历史新高。为因应市场快速成
https://www.alighting.cn/news/20091111/95094.htm2009/11/11 0:00:00
受惠外延缺货订单满载，台湾的兴柜led厂广镓（8199）营收逐季度攀高可期，该公司规划要在2010上半年送件申请上市。广镓3月营收达2.99亿元，年成长181.49%，创下单月新
https://www.alighting.cn/news/20100426/116957.htm2010/4/26 0:00:00
采钰科技与中山科学研究院第四研究所在台湾“经济部”技术处科专计划支援下，共同合作开发晶圆级氮化铝led技术，其20w 超高功率vises系列led氮化铝封装灯珠产品，已于11月成
https://www.alighting.cn/news/20121219/n648347024.htm2012/12/19 8:50:55
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示，中国的led市场将继续扩大，到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本，达
https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00
