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4英寸氮化镓自支撑衬底，为东莞市中镓半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28
GaN基高压交流110v-led芯片，为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37
纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el
https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (inGaN) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
基于氮化铟镓技术和现有的制造设施，应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。
https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06
江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。
https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09
h的知识产权(ip)许可，其中，前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基
https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49
南加州ostendo tech inc.所属磊晶实验室(ostendo epi lab.) 研发出世界第一个全彩led。他们使用氮化镓材料研发出三种特殊的量子结构，可以发出三种不
https://www.alighting.cn/pingce/20161227/147168.htm2016/12/27 11:57:42
