站内搜索
aixtron近日推出最新产品aix g5+，为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备，可一次处理5片8吋晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效GaN hemt 晶体管。全新60w GaN hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
近日，kyma科技公司宣布生产出直径为10英寸的蓝宝石氮化铝(aln-on-sapphire)基板。该蓝宝石氮化铝基板使用了专利pvdnc技术，可以提高蓝光、绿光和白光led的产
https://www.alighting.cn/pingce/20120606/122345.htm2012/6/6 9:53:50
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
