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采用高温固相反应法制备sr3AL2o6-3x/2nx∶eu2+发光材料。发光光谱分析表明,该材料在400~550nm可见光激发下,发射光谱为峰值波长为600 nm的宽带谱。xr
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
本文介绍了大功率led封装结构和散热封装材料技术的发展状况，重点对几种陶瓷封装基板进行了研究，采用ALn和AL2o3这两种陶瓷基板作为封装基板，对其热阻进行试验测量，且研究了基
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24
铝(AL)调整带隙，所获得的led和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石AL2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(AL2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在AL2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同AL组分(ALxga1-x)0.5in0.5p的选择性腐蚀特性对倒装ALgainp红光led进行表面粗化的方法。通过向粗化层gainp加入适
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
蓝宝石(AL2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(gan)磊晶发光层的主要基板材质，gan可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi
https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22
本文采用cu靶和AL靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-AL-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
利用mocvd系统在AL2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
讨论了采用mocvd在AL2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一AL层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
