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在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体管(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是p型,而常规的非晶硅tft和多晶硅
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36
通过调整ALq3的厚度, 同时在a lq3和AL阴极之间加入lif薄膜以提高电子注入效率, 获得了较为理想的实验结果。
https://www.alighting.cn/resource/20150310/123491.htm2015/3/10 13:34:22
光波长led 涂覆y3AL5o12∶ce3+ (yag∶ce)荧光粉能够在保持高的发光效率的同时得到高显色指数的白光led
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
采用高温固相法合成了AL18 b4 o33 ：cr3 + 荧光粉,使用x 射线粉末衍射仪和fsem 对样品的结构和形貌进行了表征,采用荧光分光光度计及紫外分光光度计研究了样品的发
https://www.alighting.cn/2014/8/26 10:15:14
基板的选择中，氧化铝(AL2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
n,最后蒸镀ti(100nm)/au(1000nm)用于保护AL层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
本文通过使用a1n和AL203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
石,缓冲层为ALn,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂AL0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(AL2o
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
采用共沉淀法合成y2.78-xsrxgd0.1AL5o12∶0.06ce3+系列荧光粉,用x射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用hsp-6000光谱分析
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:43:03
