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报道指出，三菱化学目前已着手于水岛事业所内导入大型长晶设备，并在确保拥有月产1,000万片(以2寸基板换算)的产能之后，将追加导入大型长晶设备正式进行量产，之后并计划于2015年
https://www.alighting.cn/news/20111121/114216.htm2011/11/21 9:08:51
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le
https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28
美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.（tdi）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和al
https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00
日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31
n)或蓝宝石基材上生长led的最新成果。利用在m-plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（sbd），预估2012年前量产。
https://www.alighting.cn/news/20101203/106822.htm2010/12/3 0:00:00
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、GaN)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
