站内搜索
本文档为台湾新世纪blue ingan/gan led chiP P2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
采用激光诱导掺杂的方法对gan进行P型掺杂。在gan样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入gan中，得到高浓度的P型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的P型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜P型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的P型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
本文较详细地介绍了c60P可编程控制器在住宅楼梯照明系统中的硬件配置与软件设计，其系统设计较好地解决当前住宅楼梯照明中出现的矛盾和问题，既能节约用电，又能使用户合理负担电费，很好
https://www.alighting.cn/resource/2008821/V17053.htm2008/8/21 11:07:47
https://www.alighting.cn/resource/2008310/V397.htm2008/3/10 10:33:50
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au P gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, P 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
led电子显示技术发展迅速，已成为当今平板显示领域的主导之一。本文着重介绍用m4a5-128P64-10vc设计led显示屏的控制电路。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127383.htm2011/7/28 10:34:41
