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cree推出口径为6英吋的SiC底板

美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋,约150mm的SiC底板,6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2,主要用于led、高频元件及功率半导体元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

科锐与abb宣布SiC合作,提供汽车和工业领域解决方案

11月18日消息,全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐与abb电网事业部宣布达成合作,共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。

  https://www.alighting.cn/news/20191119/165153.htm2019/11/19 9:43:00

SiC功率元件的組裝與散熱管理

SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而,这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。

  https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36

日商air water量产全球最大尺寸SiC基板

日商air water inc.20日发布新闻稿宣布,已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术,借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38

SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品

很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸,虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率,但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此,能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56

再见!高价SiC—迪思科开发出产量增至1.5倍的晶圆加工技术

迪思科(disco)开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比,生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4,产量大约可以增加到

  https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39

又签一单!意法半导体与罗姆旗下公司达成SiC晶圆合作

据台湾杂志《新电子》报道,罗姆半导体集团 (rohm semiconductor) 和意法半导体 (st) 宣布与罗姆旗下公司SiCrystal签署一项碳化硅 (SiC) 晶圆长

  https://www.alighting.cn/news/20200117/166255.htm2020/1/17 9:44:59

科瑞在SiC基片市场占有较高份额

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品,6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。

  https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50

宽禁带半导体SiC和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

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