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修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）任教授一职。UCSB对于中村开发的gan基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
在 电 子 器件领域，UCSB大学研制的gan,modfet的施主层厚度仅有20nm，减小了器件的输人电容，使得0. 2um栅长器件的fsubt达到50ghz,在log hz工作
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
通过计算发现两种形式的间接俄歇复合机制是引起led发光效率降低的主要原因。led发光效率降低是指在高驱动电流条件下led 器件发光效率降低的现象，许多研究者集中地讨论了导致led发
https://www.alighting.cn/2011/11/14 13:56:08
美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员最近报道首个封装大功率、高效半极性(30-3-1)蓝光led(452nm),相关文章请详见ingrid l. koslow等发
https://www.alighting.cn/resource/20100826/127974.htm2010/8/26 10:02:38
围绕蓝色l e d的开发者、美国加州大学圣塔巴巴拉分校(university of california，santa barbara，UCSB)中村修二教授在日亚化学工业工作期间
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128323.htm2010/8/17 14:31:44
美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (UCSB)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(gan)为主的led，俄歇复合(auger recombination)是其效率下
https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(gan)为主的发光二极管(led)，俄歇复合(auger recombination)是
https://www.alighting.cn/resource/20090615/128704.htm2009/6/15 0:00:00
上海蓝宝将与世界知名的UCSB sslec实验室合作，在成都市新津县投资14亿元建设led产业园。项目建成后，将成为成都市首个包含外延、芯片、封装、应用等完整产业链的项目。新津县
https://www.alighting.cn/news/20090527/119080.htm2009/5/27 0:00:00
利。 本公司一直致力于投资研究开发自身的专利技术，而且已经注册了1,200多种专利。本公司的产品是基于自身专利技术，综合了我们已经得到的美国 UCSB(university o
http://blog.alighting.cn/123456/archive/2008/11/20/1537.html2008/11/20 14:40:00
UCSB 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长gan块等相关问题。
https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00
