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修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）任教授一职。UCSB对于中村开发的gan基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
在 电 子 器件领域，UCSB大学研制的gan,modfet的施主层厚度仅有20nm，减小了器件的输人电容，使得0. 2um栅长器件的fsubt达到50ghz,在log hz工作
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
利。 本公司一直致力于投资研究开发自身的专利技术，而且已经注册了1,200多种专利。本公司的产品是基于自身专利技术，综合了我们已经得到的美国 UCSB(university o
http://blog.alighting.cn/123456/archive/2008/11/20/1537.html2008/11/20 14:40:00
