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运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
氮化镓的格子缺陷很多却能够产生高辉度，主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构，使得组件的发光效率得以提高，进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化镓发光的奥秘，与提高发光效率的方法。
https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品，尤其是氮化镓基（GaN）白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
