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演讲的内容包括led及产业链的介绍、led特点与优势、led典型应用技术概况、集成模块化——led照明的未来四部分。附件为中山大学半导体系统研究中心王刚先生的演讲ppt《光子学前
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/29/95250_51.htm2014/7/29 9:52:50
术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对led芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率，从
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
igzo是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料，igzo技术具有低耗电量、高屏幕精度、高触摸性能等优势，据称未来iphone将采用igzo显示技术，那么igzo究竟有什么样的独
https://www.alighting.cn/resource/20140515/124564.htm2014/5/15 14:31:41
本文介绍了有关蓝宝石材料质量对 hb-led 设备制造过程的影响研究的最终结果。本研究是大型综合材料表征项目的一部分，由 gt 发起以研究蓝宝石材料属性对高亮 led 价值链中整个
https://www.alighting.cn/resource/20140402/124706.htm2014/4/2 10:28:35
氮化镓晶体管的开关频率非常高，这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜，整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
变电路的工作频率，调节输出电流，实现恒流控制。实验结果表明，该电源具有输出功率大、尖峰电流小和晶体管电压应力小的优点，适用于大功率输出的场
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124898.htm2014/1/17 11:25:44
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
构，利用两种以上不同折射率(或介电常数)材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体(photoniccrystal)被发现已将近20 年后的今天，在各领域的应用有著相当令
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/13/11117_28.htm2013/12/13 11:11:07
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
